三星電子與美國英特斯克共同開發高頻寬度（High‑Bandwidth）記憶技術，以解決AI資料中心的成本與效能瓶頸。於2023年13日於首爾舉行投資者會議，兩公司宣布已進入首次 Type‑Out (First‑Type‑Out) 階段。此為設計完成後實際製程之關鍵轉折點。

在公開場合中，預測 HBF 將相較現有的 DRAM 與 NAND 提供三倍以上之資料處理速度與低能耗。英特斯克則以 2030 年前後平均每年10% 成長率為目標，強調於大規模 AI 工作負載中必備之高頻寬度（HBF）產品加持擴植。

公布之 HBF 系列將致力於「記憶基礎」改善以解決記憶瓶頸，同時促進資料中心電力效能化。三星與英特斯克兩廠預計於 2024 年上半年起投入產線，並有望強化於全球半導體市場之競爭力。