サムスン・サンドスクは、AI向けの高性能（High‑BandWidth）メモリ技術を共同開発し、AIデータセンターにおけるコストと性能ボトルネック問題を解決するためにHBF（ハイブレインフラッシュ）製品群を公開した。2023年13日、ソウルで開催された投資家向の発表会にて、両社は初めのタイプアウト（First‑Type‑Out）段階へ入ったと公示した。これは設計完了後実際製造工程へ移行する重要な転換点である。

公式ではHBFが既存のDRAM・NANDに比べ3倍以上高いデータ処理速度と低い電力消費を提供する見込みである。サンドスクは2030年まで年平均10％成長率を目標として、大規模型AIワークロードへ必須的な高帯域フラッシュ（HBF）製品を拡大配置すると強調した。

発表されたHBFシリーズはメモリボトルネック解消を目的とする「メモリインフラ」の改善と同時にデータセンター電力効率化を促す。サムスン・サンドスク二者は今後2024年上半期から製造ラインへ進入予定であり、グローバル半導体市場における競争力強化する見込みがある。