Samsung Electronics et SanDisk ont annoncé le lancement d’une nouvelle technologie de mémoire à large bande passante (High‑Bandwidth Memory) destinée aux applications d’intelligence artificielle. Le duo a dévoilé l’ensemble de produits HBF (Hybrid Brain Flash), visant à résoudre les problèmes de coût et de performance des centres de données AI.
À la conférence de presse tenue le 13 janvier 2023 à Séoul, les deux entreprises ont déclaré qu’elles avaient franchi l’étape « First‑Type‑Out » – la première phase de mise sur le marché d’un produit en prototype. C’est un tournant majeur qui marque la transition du design vers la production réelle.
Les experts ont indiqué que HBF proposerait des vitesses de traitement de données supérieures à celles de la DRAM et du NAND, avec plus de trois fois la rapidité, tout en réduisant l’usage d’énergie. SanDisk a souligné son ambition d’atteindre un taux de croissance annuel de 10 % jusqu’en 2030, et de déployer largement le produit HBF dans les charges de travail IA à grande échelle.
La série HBF annoncée est censée contribuer à la réduction des goulots de mémoire tout en améliorant l’infrastructure de mémoire et en favorisant l’efficacité énergétique des centres de données. Samsung et SanDisk prévoient d’introduire la production de ces produits dès le premier semestre 2024, renforçant ainsi leur compétitivité sur le marché mondial des semi‑conduits.