Samsung Electronics und SanDisk haben gemeinsam die Hochgeschwindigkeits‑Memory-Technologie (High‑BandWidth) für KI entwickelt, um Kosten- und Leistungsengpäthemen in KI-Datenzentren zu lösen. Sie kündigten die HBF‑Produktreihe an. Auf einer Investorenpräsentation am 13. März 2023 in Seoul haben beide Firmen angekündigt, dass sie in die erste Type-Out-Stufe (First‑Type‑Out) eingetreten sind. Dies ist ein wichtiger Übergangspunkt nach Abschluss des Designs und vor dem eigentlichen Fertigungsprozess.
In der Pressemitteilung kündigte HBF an, die Datenverarbeitungsrate von über dem Dreifachen im Vergleich zu DRAM und NAND sowie einen geringen Energieverbrauch zu bieten. SanDisk betonte, dass es bis 2030 ein durchschnittliches jährliches Wachstum von 10 % anstreben werde und die HBF-Produkte als unverzichtbare Hochgeschwindigkeits‑Flash-Lösungen für große KI-Arbeitslasten ausweiten wolle.
Die angekündigte HBF-Reihe soll die Memory-Bottleneck-Problem lösen und gleichzeitig die Energieeffizienz von Datenzentren verbessern. Samsung und SanDisk planen, ab der ersten Hälfte des Jahres 2024 in die Fertigungslinien einzutreten und erwarten dadurch die Stärkung ihrer Wettbewerbsfähigkeit auf dem globalen Halbleitermarkt.