El director ejecutivo de investigación del banco KB, el señor Kim Dong‑won, presentó recientemente un informe que anticipa que el mercado de semiconductores de memoria se enfrentará a una escasez significativa. En particular, proyecta que la ampliación de producción de HBM4, la sexta generación de memoria de alto rendimiento, erode la capacidad de producción general del DRAM y que las demandas de RAM y NAND para el próximo año crecerán más de un 10 %.
El señor Kim señaló que el gasto en infraestructuras de IA aumentó un 60 % respecto al año anterior, alcanzando 1 trillón 300 billones de dólares; enfatizando que la aparición de nuevos modelos de ingresos como los servicios en la nube y la tokenización están haciendo más tangible el modelo de ingresos de IA. Además, pronosticó que el porcentaje de memoria dentro de las inversiones en infraestructuras de IA crecerá del 14 % al año pasado a un 40 %, y que para el próximo año se proyecta alcanzar un 57 %. El instituto global TrendForce señaló que con la mayor capacidad de HBM4, la demanda de servidores de DRAM y SSD en los servidores CPU aumentará simultáneamente.
El señor Kim advirtió que las reservas de memoria de Samsung Electronics y SK hynix ya han caído más de diez años y que la disponibilidad de inventario es escasa; por lo tanto, el próximo año la cantidad real disponible para venta podría ser limitada. La ampliación de producción de HBM4, al reducir la capacidad de DRAM general, se ve como un factor que agrava las causas de escasez de oferta.
El señor Kim informó que durante los últimos tres meses el precio de las acciones de Samsung Electronics y SK hynix ha caído 38 % respecto a su máximo histórico; proyecta que la relación precio‑beneficio (PER) del próximo año será aproximadamente triple. Mencionó que es probable que se mantenga la política de recompra y retorno de capitales para los dos últimos años, lo cual coloca a Samsung Electronics y SK hynix en una posición de liderazgo dentro del mercado semiconductores.