从2023年年底开始，通用DRAM和闪存的价格持续两位数上升，并预计到明年将进一步上升至高带宽内存（HBM）。KB证券研究总部负责人金东元表示：“根据市场调查机构TrendForce的数据，今年第四季度通用DRAM的价格相较上一季度上涨10%~15%，闪存的价格则上涨15%~20%；这显示两位数涨势将继续。”他补充说，尤其是在服务器用DRAM和企业用SSD为中心的需求预计会持续增长。

随着人工智能（Artificial Intelligence）理论化，记忆半导体市场似乎将进入明年价格与产量同时上升的强劲涨循环。他解释：“服务器用DRAM和SSD的需求随人工智能扩大的趋势而提升80%以上。”他进一步指出，“考虑到HBM供应价的大幅变动，HBM预计将在明年出现显著价格上涨”。

主要记忆制造商如三星电子、SK海尼克斯等在目前供需紧张的情况下将有限度扩大产能。金东元说：“新规清理和扩增设备需要超过3年的时间，而即使HBM为核心的生产能力扩展同步进行，能够应对激增的记忆需求的供应增量仍非常有限。”

基于此预测，明年记忆市场将进入价格与产量同时出现强劲涨循环的加速阶段。他强调：“请各位行业伙伴注意”，并指出“若把握记忆需求和HBM供给价变动掌控好，公司可通过固定价格合约参与稳定市场”。