Depuis la fin 2023, les prix du DRAM générique et du flash NAND ont continué leur tendance à deux chiffres, et il est prévu que le HBM (High Bandwidth Memory) connaîtra également une forte hausse à partir de l’année prochaine. Le directeur de recherche de KB Securities, Kim Dong‑won, a déclaré : « Selon TrendForce, les prix du DRAM générique dans le dernier trimestre 2023 devraient augmenter de +10 % à +15 %, et les prix du flash NAND d’environ +15 % à +20 %. Le marché dépasse ainsi la tendance d’augmentation à deux chiffres. En particulier, il est attendu que la demande pour le DRAM serveur et l’SSD d’entreprise continue de croître. »
Alors que l’intelligence artificielle (IA) se généralise, le marché des semi‑conduits mémoire s’apprête à entrer dans une forte boucle de hausse où prix et volume augmentent simultanément. Kim affirme : « La demande pour le DRAM serveur et l’SSD d’entreprise va croître de plus de 80 % avec l’expansion de la demande en IA, et compte tenu que les coûts d’approvisionnement du HBM soient très élevés, il est prévu qu’il y aura une hausse significative des prix à partir de l’année prochaine. »
Les principaux fabricants de mémoire tels que Samsung Electronics et SK Hynix envisagent d’étendre leur approvisionnement de façon limitée dans un contexte où la demande reste serrée. Kim ajoute : « Il faut prévoir plus de trois ans pour qu’une nouvelle usine ou expansion des lignes d’assemblage se réalise, et avec l’expansion de capacité autour du HBM, il est très limité de pouvoir répondre à la hausse de la demande qui s’accélère. »
En conséquence, le marché de la mémoire à partir de l’année prochaine devrait entrer dans une boucle de forte hausse où prix et volume augmentent simultanément. Kim souligne : « Il faut rappeler que Samsung Electronics et SK Hynix sont les principaux acteurs du secteur, et qu’il est possible d’entrer en contrat de fixation des prix pour assurer une participation stable du marché. »