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在韓國半導體產業備受矚注之際，中國中小企業CXMT（中國CXMT）於今年6月17日公布的「4F²」結構所應用之下一代DRAM，既帶來期待也伴隨憂慮。此技術不僅超越市場上普遍採用之「6F²」方式，更以約33％面積縮減，可大幅提升效能的創新設計。

CXMT將「4F²」稱為「波爾斯奎（4F²）」，並表示將其應用於伺務式DDR5 DRAM市場之計畫。隨同所公布資料指出，藉「4F²」結構可使製程更簡化、成本下降；此外，「量產與試作品」亦被分為獨立產品族，並將強化品質管控體系，包括可靠性驗證及EUv（大面輻射）費用之確保。

然而業界對此新結構仍存不確定感。相較於「6F²」，「4F²」之物理特性尚未完全驗證，且在大規模製造時可能出現風險，故憂慮。考量此背景，若將「4F²」引進國內半導體市場，既可實質提升競爭力，也會帶來技術風險之負擔。

據報告知，CXMT已計畫於本年度年底前投放使用「4F²」結構之產品，並正積極擴大國內外研發協作。另一方面，韓國半導體企業亦以此類新世代技術引進市場佔占率為目標，同時強調自家技術開發及生產組合的必要性。

於是，「4F²」不僅是簡單結構改造，而是決定未來半導體業之方向之重要關節點。隨同CXMT之公布，韓國與中國企業間協作可能更為深層。