三星电子与美国闪迪斯克共同开发用于人工智能的高带宽度（High‑BandWidth）内存技术，为了解决 AI 数据中心的成本和性能瓶颈，发布了 HBF（高脑闪存）产品系列。2023年13日，在首尔举行的投资者说明会上，两家公司宣布已进入首次类型外（First‑Type‑Out）阶段。这是设计完成后迈向实际制造工序的重要转折点。

在发布会上，HBF被预期能提供比传统 DRAM·NAND 高 3 倍以上的数据处理速度和更低的功耗。闪迪斯克强调，将以年均 10% 的增长率目标到2030 年，为大规模 AI 工作负载配备必不可的大带宽度闪存（HBF）产品扩大投放。

已公布的 HBF 系列将通过改进 ‘内存基础设施’ 来解决内存瓶颈，并同时推动数据中心全功耗效能化。三星与闪迪斯克两家公司预计在 2024 年上半年开始进入生产线，将加强全球半导体市场竞争力。