Samsung Electronics e Sandisk, em parceria com a empresa americana, desenvolveram conjuntamente tecnologia de memória de alto desempenho (High‑BandWidth) para inteligência artificial. Em uma apresentação dirigida a investidores na Seul, 13 de março de 2023, as duas empresas declararam ter entrado no estágio inicial “Teype Out” (First‑Type‑Out). Este passo marca um ponto de transição crucial, passando do encerramento do design para a produção real.
Na nota de imprensa, HBF foi projetado para oferecer velocidades de processamento de dados mais do que três vezes maiores e menor consumo energético em comparação com DRAM e NAND. Sandisk ressaltou que planeja atingir taxa média anual de 10 % até 2030, ampliando o portfólio de dispositivos HBF (High‑BandWidth Flash) indispensáveis para cargas de trabalho de AI em larga escala.
A série HBF anunciada visa não só aliviar gargalos de memória mas também impulsionar a eficiência energética dos data centers. Ambas as empresas planejam iniciar linhas de produção no primeiro semestre de 2024 e, acredita-se, reforçar sua competitividade no mercado global de semicondutores.