A partir do final de 2023, os preços de DRAM e NAND flash estão em tendência de alta dupla, e a partir deste ano se espera um aumento considerável até o HBM (High Bandwidth Memory). O diretor Kim Dong-won, da divisão de pesquisa da KB Securities, afirmou: “Segundo a agência de análise de mercado TrendForce, a demanda do quarto trimestre de 2023 para DRAM geral aumentará em +10~15%, enquanto a demanda por NAND flash aumentará em +15~20% e deverá continuar em tendência de alta dupla, superando as expectativas de mercado.” Ele acrescentou: “Particularmente, a demanda por DRAM e SSD corporativos deve persistir.”
Com o avanço da IA, o mercado de semicondutores de memória parece entrar num ciclo de forte ascensão em que os preços e volumes aumentam simultaneamente. Kim declarou: “A demanda por DRAM e SSD corporativos crescerá mais de 80% e HBM terá preços elevados a partir desse ano.” Ele afirmou ainda que “a alta demanda de IA tende a impulsionar a oferta, mas o aumento de preço do HBM será considerável.”
Grandes fabricantes como Samsung Electronics e SK Hynix tem planos de limitar a expansão da oferta devido à tensão atual na demanda. Kim observou: “Para novos desenvolvimentos em cleanroom e produção de chips, três anos são necessários, e a expansão de capacidade de produção centrada no HBM será limitada.”
Assim, o mercado de memória deverá entrar num ciclo forte que tem ênfasis on como a partir do próximo ano se tornará mais forte. Kim enfatizou: “Apenas do ponto em que o mercado se torna no mais?” (sic). Ele falou com mais‑tudo e foi sobre …
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