삼성 전자재배와 미국 샌디스크가 인공지능용 고성능량(High‑BandWidth) 메모리 기술을 공동 개발해 AI 데이터센터의 비용과 성능 병목 현상을 해결하기 위해 HBF(하이브레인 플래시) 제품군을 공개했다. 2023년 13일 서울에서 진행된 투자자 대상 발표회에서 두 기업은 최초 테이프아웃(First‑Type‑Out) 단계에 진입했다고 밝혔다. 이는 설계 완료 이후 실제 제조 공정으로 넘어가는 중요한 전환점이다.
공식에서는 HBF가 기존 DRAM·NAND 대비 3배 이상 높은 데이터 처리 속도와 낮은 전력소비를 제공할 것으로 전망했다. 샌디스크는 2030년까지 연평균 10% 성장률을 목표로, 대규모형 AI 워크로드에 필수적인 고대역폭플래시(HBF) 제품을 확대 배치하겠다고 강조했다.
발표된 HBF 시리즈는 메모리 병목 해소를 위한 ‘메모리 인프라’ 개선과 동시에 데이터센터 전력 효율화를 도모한다. 삼성·샌디스크 양사는 향후 2024년 상반부터 생산 라인에 진입할 예정이며, 글로벌 반도체 시장에서의 경쟁력을 강화할 것으로 예상된다.